Обзоры
05.12.2013 | 0 | 135
MRAM память

MRAM – оперативная память нового поколения


Зарубежные СМИ распространили информацию о том, что специалисты из Японии и Америки в области ведущих технологий начали исследование и запустили первый этап разработки абсолютно нового вида оперативной памяти. Привычная всем динамическая память (DRAM), использующаяся во всех современных компьютерных модулях и «умных» телефонах, скоро отойдёт на второй план. Ей на замену, по заверениям светил науки, придёт (MRAM) технология, основанная на использования магниторезистивной памяти, оснащённой произвольным доступом.


MRAM память

Два десятка компаний неустанно трудятся и вкладывают свои средства для достижения положительного результата исследований. Среди них более десятка известных на весь мир компаний, в том числе и крупнейшая корпорация Нового Света Micron Technology.

Использования оперативной памяти MRAM способно в несколько раз увеличить эффективность, при этом намного снизив энергозатраты. Кроме того, отличие «старой» от «новой» памяти в способе индексирования и сохранения информации. Динамическая память использует электрические заряженные частицы, а суть магниторезистивной в том, что для хранения информации используются магнитные элементы. Эти элементы потребляют в разы меньше электроэнергии, что отличает их от устаревшей технологии DRAM. Также упрощается работа, связанная с использованием различного вида проводников. Основной плюс использования MRAM – фактическая энергонезависимость.

Главой научно-исследовательского института стал профессор Тетсуо Эндо из японского Университета Тохоку. Также в исследованиях примут участие более двух десятков японских учёных. Старт проекта назначен на февраль следующего года. На станок устройство поставят только в 2018 году. Скорее всего, революцию в мире цифровых технологий придётся ждать долго.

Немаловажный факт, что помимо японских учёных из Тохоку этим перспективным направлением занимается ещё множество компаний. Например, Everspin Technologies заверяют, что выпуск устройств на основе MRAM-памяти начнётся уже в недалёком будущем. Компания Buffalo, гарантирует поточное производство уже в следующем году. Уже изобретён, но не поставлен на производство разработанный инженерами из Everspin модуль SSD с ST-MRAM-буфером.

Начало разработок магниторезистивной оперативной памяти MRAM началось ещё на закате прошлого столетия. Учёные верят, что данный вид памяти в недалёком будущем станет единственным используемым в цифровых модулях.